FinFET-Transistor nimmt Gestalt an
SAN JOSE — Den weltweit ersten Double-Gate-Transistor haben Freescale Semiconductor und die Universität von Florida gebaut. Damit wird ein wichtiger Baustein der Skalierung Realität.
Der zukunftsträchtige Transistortyp trägt auch die Bezeichnung FinFET. Er gilt als einer der Eckpfeiler der Halbleitertechnik für die weitere Verkleinerung der Strukturen und stellt die Grundlage für Schaltkreise mit mehr Rechenleistung bei geringerem Stromverbrauch dar.
"Double-Gate-Transistoren entwickeln sich zu ernsthaften Kandidaten für den 45-Nanometer-Node", erklärte Claudine Simson, Freescales Chief Technology Officer. "Das Softwaremodell, das die Universität von Florida für die Beschreibung des Transistors entwickelt hat, bringt dieses Bauelement einen Schritt näher zum kommerziellen Einsatz".
Freescale vertreibt Lizenzen dieses Softwaremodells. "Freescales Lizenzierung an Dritte erlaubt es Schaltungsdesignern, zu einem frühen Zeitpunkt neue Double-Gate-Bauelemente kennenzulernen und mit diesem Modell neuartige Schaltungen aufzubauen", so die Freescale-Managerin.
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